出典:デジタル大辞泉(小学館)

insulated gate bipolar transistor半導体素子の一種で、MOSトランジスターバイポーラートランジスターゲート部分に組み込むことで動作抵抗を小さくしたもの。大電力のスイッチングに向き、電力制御に用いられる。絶縁ゲート型バイポーラートランジスター。