出典:デジタル大辞泉(小学館)

p-intrinsic-n diode半導体p型半導体n型半導体の間に、真性半導体であるi層をはさみ、3層構造にしたダイオード。順方向バイアスに対して可変抵抗のようにはたらき、逆方向バイアスまたは高周波に対しては高い抵抗を示す。携帯電話無線LAN機器のスイッチング素子、チューナーアッテネーターに用いられる。昭和25年(1950)、西沢潤一が開発。