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結晶のバンド構造における、禁制帯のエネルギー幅。価電子帯の上部から伝導帯の下部までのエネルギーの差をさす。この幅が広いと絶縁体、狭いと半導体になり、かつ半導体の特性を左右する。バンド間隙。
出典:デジタル大辞泉(小学館)
出典:教えて!goo
多結晶シリコンのバンドギャップ
シリコンのバンドギャップがおよそ1.1eVだということは 分かるのですが、多結晶またはアモルファスの形の場合、 その値は変わってくるのでしょうか? 結晶状態によってバンド構造も変...
活性化エネルギーとバンドギャップ
どちらもあるエネルギーを超えるための 壁という意味で理解しているのですが、 物理学的には同じ意味なのでしょうか?
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