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蒸着分子線エピタキシーの技術により、一原子毎に積層させた半導体超格子。原子の種類や積層の厚みを制御することで、さまざまなバンド構造をもつ半導体超格子をつくることができる。ガリウムヒ素(GaAs)の半導体が知られる。