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磁場により物質の電気抵抗が変化する磁気抵抗効果の中でも、特にその相対変化の度合いが大きい巨大磁気抵抗効果を利用した半導体素子。ハードディスクの読み出し部分(磁気ヘッド)に応用され、記憶容量の飛躍的な増加をもたらしたことで知られる。GMR素子。巨大磁気抵抗効果素子。

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