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ある特定の材料を加熱し、抵抗が小さい結晶状態と抵抗が大きいアモルファス状態の間で相変化(相転移)させることで、情報を記憶する不揮発性メモリーフラッシュメモリーに比べ、書き込み速度が速く、寿命が長いという長所がある。PCM(phase change memory)。PRAM(phase-change RAM)。