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p-intrinsic-n diode半導体p型半導体n型半導体の間に、真性半導体であるi層をはさみ、3層構造にしたダイオード。順方向バイアスに対して可変抵抗のようにはたらき、逆方向バイアスまたは高周波に対しては高い抵抗を示す。携帯電話無線LAN機器スイッチング素子、チューナーアッテネーターに用いられる。昭和25年(1950)、西沢潤一が開発。

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2023年11月