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《p-intrinsic-n diode》半導体のp型半導体とn型半導体の間に、真性半導体であるi層をはさみ、3層構造にしたダイオード。順方向バイアスに対して可変抵抗のようにはたらき、逆方向バイアスまたは高周波に対しては高い抵抗を示す。携帯電話や無線LAN機器のスイッチング素子、チューナーのアッテネーターに用いられる。昭和25年(1950)、西沢潤一が開発。
出典:デジタル大辞泉(小学館)
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