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《quad level cell》NAND型フラッシュメモリーを構成する各メモリーセルが、電荷の量に対応して4ビットの多値の情報を記憶する方式。TLCに比べて記憶密度は高いが、耐久性や精度が劣る。クアッドレベルセル。→エス‐エル‐シー(SLC) →エム‐エル‐シー(MLC)
出典:デジタル大辞泉(小学館)
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