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強磁性の金属層に挟まれた薄い絶縁膜を通って流れるトンネル電流が磁場により変化する現象。1975年の発見当時は試料をセ氏零下270度近くまで冷却する必要があったが、1995年に同様の現象が室温でも実現できるようになった。これによりトンネル磁気抵抗素子への実用化につながり、巨大磁気抵抗素子に続いてハードディスクの読み出し部分（磁気ヘッド）に応用され、記憶容量の増加をもたらしたことで知られる。TMR（tunnel magnetoresistance）。
出典：デジタル大辞泉（小学館）
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