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蒸着分子線エピタキシー技術により、一原子毎に積層させた半導体超格子原子種類積層の厚みを制御することで、さまざまなバンド構造をもつ半導体超格子をつくることができる。ガリウムヒ素(GaAs)の半導体が知られる。

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