出典：gooニュース
EUV露光対応フォトマスク…大日印、微細パターン解像に成功
大日本印刷（DNP）は、極端紫外線（EUV）露光に対応した2ナノメートル（ナノは10億分の1）世代以降のロジック半導体向けに必要な微細パターンの解像に成功した。ラピダス（東京都千代田区）が2027年に量産開始を目指す2ナノメートル世代ロジック半導体向けに歩留まり向上などの生産技術の確立を進め、27年度に量産・供給開始を目指す。
ラピダス試作へ大詰め EUV露光装置設置開始 資金調達や販路開拓課題
次世代半導体の量産を目指すラピダス（東京）の小池淳義社長は18日、新千歳空港内で記者会見を開き、千歳市内に建設中の工場で「極端紫外線（EUV）露光装置」の設置を始めたと発表した。製造ラインの要となる最先端の装置で、本格導入は国内初。来春に予定する試作開始に向けた準備は大詰めを迎えているが、資金調達や販路開拓などの課題はなお残っている。...
ラピダス、EUV露光装置を導入へ 半導体量産化では国内初 北海道
小池淳義社長は工場建屋の完成度が88％に達していると明かし、「（EUV搬入は）日本から世界に最先端の半導体を届けられる第一歩になる」と述べた。また、ASMLのジム・クーンメン最高顧客責任者は「我々はラピダスの成功に100％コミットメントしている」と強調した。 式典後の記者会見で、小池社長は「EUV1、2台で目標は達成できない。性能を確認した上で導入台数を決める」と語った。
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