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抵抗変化メモリー（ていこうへんかメモリー） とは？ 意味・読み方・使い方

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ていこうへんか‐メモリー〔テイカウヘンクワ‐〕【抵抗変化メモリー】
の解説

《resistance RAM》電圧を印加したときに電気抵抗が大きく変化する効果を利用して情報を記憶する不揮発性メモリーの一種。消費電力が小さく、データを読み出す時間が短いという長所がある。ReRAM (アールイーラム・リラム) 。RRAM (アールラム) 。

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出典：デジタル大辞泉（小学館）

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