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insulated gate bipolar transistor半導体素子の一種で、MOSトランジスターバイポーラートランジスターゲート部分に組み込むことで動作抵抗を小さくしたもの。大電力のスイッチングに向き、電力制御に用いられる。絶縁ゲート型バイポーラートランジスター。