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high electron mobility transistor》異種の半導体間のヘテロ接合面において、電子が高速で移動する性質を利用した半導体素子ガリウム砒素(GaS)とアルミニウムガリウム砒素の組み合わせが知られる。高電子移動度トランジスター。

[補説]ヘテロFET(HFET)またはヘテロ接合FET(HJFET)とよばれることもある。→エフ‐イー‐ティー(FET)